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在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜.用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析.微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1 Pa和3 Pa的Al膜相比,1 Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3 Pa下制备的薄膜. 1 Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9 nm逐渐增大到26.3 nm;晶格常数由0.403 7 nm增大到0.404 7 nm,均比标准值0.404 96 nm稍小.应力分析表明:同一工作气