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通过模拟局部氧化隔离SOINMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.模拟结果表明,在原工艺流程完成后再进行一次退火处理,可以减弱应力对器件阈值电压的影响.
埋氧厚度对硅膜阈值电压及硼杂质分布的影响
【摘 要】
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通过模拟局部氧化隔离SOINMOSFET器件硅膜和埋氧界面处的应力分布随埋氧厚度的变化情况,分析其对硼杂质再分布的影响机制,得出SOI NMOSFET器件阈值电压对埋氧厚度的依赖关系.
【机 构】
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西安工程机械专修学院机电系
【出 处】
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西安工程大学学报
【发表日期】
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2011年3期
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