高温闪烁晶体Ce：YAP的生长研究

• 作 者: 李涛 赵广军 何晓明 徐军 潘守夔 徐月泉
• 机 构: 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海中科嘉浦光电子材料有限公司
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: 高温闪烁晶体 CE:YAP 提拉法晶体生长 X射线激发发射谱 吸收谱 铈掺杂 Ce∶YAP scintillator Czochralski crystal g

Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等方面有着广阔的应用前景.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶YAP晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及孪晶问题,并对晶体生长过程中的爬料、纯YAP晶体着色等现象作了讨论.X射线激发发射谱表明晶体的发射峰在388nm,吸收测试则显示晶体在254nm、366nm处有两个吸收峰.