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,Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray di
【作 者】
：
【机 构】
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronies,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sc
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2010年7期
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