MACE制备的硅纳米线拉曼光谱及陷光结构研究

• 作 者: 冯梓颖 蒋忱 曾滢瀛 金彦烁 黎子旋 许烁烁 沈辉
• 机 构: 中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,广州510006
• 出 处: 太阳能学报
• 发表日期: 2015年9期
• 关键词: silicon nanowires HF concentration Raman spectra light-trapping structure

采用金属辅助化学刻蚀法(MACE)制备硅纳米线,样品形貌表征结果表明:电化学反应的HF溶液浓度越小,硅纳米线直径越小,硅纳米阵列越稀疏.此外,对比分析单晶硅和硅纳米线的拉曼光谱,经拟合得到硅纳米线的双声子峰相比单品硅双声子峰发生明显移动.测量不同HF浓度刻蚀的硅纳米线的反射率曲线,然后对硅纳米线的陷光性能进行数值模拟.