【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al0.19Ga0.81N/Al0.37Ga0.63N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
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利用金属有机物化学气相沉积方法,在n型6H-SiC衬底上制备了15对Si掺杂Al0.19Ga0.81N/Al0.37Ga0.63N DBR,并采用低温AlN缓冲层有效抑制了DBR结构中裂纹的产生,得到了表面均方根粗糙度仅为0.4 nm且导电性能良好的n型DBR,其在369 nm处峰值反射率为68%,阻带宽度为10 nm。在获得导电DBR的基础上,进一步在n型6H-SiC衬底上构建了有、无DBR的垂直结构紫外LED。对比两者电致发光光谱,发现DBR结构的引入有效增强了LED紫外发光强度。
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