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GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析
GaN衬底材料LiGaO2晶体的温度梯度法生长及分析
来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:michael_CL
【摘 要】
:
以温度梯度法生产LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了
【作 者】
:
杨卫桥
干福熹
等
【机 构】
:
中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
:
光学学报
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
衬底材料
LiGaO2晶体
GAN
温度梯度法
氮化镓
晶体生长
晶体分析
锂镓氧化物
GaN
LiGaO2
temperature gradient te
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以温度梯度法生产LiGaO2晶体,通过形貌观察、X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析确认在样品的中部形成了单一相的LiGaO2晶体。但在生长过程中由于CO气体的存在,熔体表面形成了LiO-和金属态的Ga,钼坩埚被侵蚀形成Li2MoO4进入熔体,使样品上下两部分的结晶质量变差。
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