【摘 要】
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<正> 我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=3
【机 构】
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北京师范大学物理系“五·,七”半导体器件厂
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<正> 我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=30伏时,漏电流IB≤1μA。四只管子配套使用,故管子电参数的一致性要好。为满足电容变化比的要求,需采用超突变结的杂质分布,即杂质浓度随着与结距离的增加而降低。为此,需要在均匀掺杂的硅材料中形成浓度不断下降的区域一衰减区。在制造器件时,用普通的扩散法形成的衰减区,掺杂浓度往往不易控制,因此,我们采用
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