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对比分析传统的CMOS带隙基准电压源电路结构,基于一阶温度补偿设计一种高性能带隙基准电压源。电路采用基本差分放大器作为电路负反馈运放,运放输出用作PMOS电流源偏置,提高共模抑制比。Spectre仿真结果显示在-55~125℃温度范围内温度系数为4.18×10-6/℃,低频下电源抑制比达到-94 d B。在SMIC 65 nm CMOS工艺下,芯片面积为0.5×0.1 mm2,功耗为0.56 m W。