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【摘 要】
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采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅（１００）上的ｃ－ＢＮ膜生长过程。在Ｘ射线谱分析仪上，用氩离子剥离ｃ－ＢＮ膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析，用富立叶变换
【机 构】
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哈尔滨工业大学哈尔滨,KoreaInstituteofMaterialandMachine
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1999年6期
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