LP-MOCVD生长InGaAlP双异质结中In组分控制的研究

• 作 者: 文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪
• 机 构: 华南理工大学应用物理系!广东广州510641,华南师范大学MOCVD实验室,广东广州510631,华南师范大学MOCVD实验室!广东广州510631,华南师范大学MOCVD实验室!广东广州510631
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2000年05期
• 关键词: 异质结 MOCVD In InGaAlP LP-MOCVD 组分 分控制 外延层 文献实验 发光材料

根据已经发表的有关文献实验数据 ,针对InGaAlP发光材料的LP -MOCVD生长 ,给出了描述In组分偏离的经验表达式 ,可应用于InGaAlP双异质结生长中In组分的控制

According to the published literature about experimental data, an empirical expression describing the deviation of In composition for LP-MOCVD growth of InGaAlP luminescent material is given and it can be applied to the control of In composition in InGaAlP double heterojunction growth