【摘 要】
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一、引言 近些年来,有许多著作介绍用高功率短脉冲激光熔解硅表面并使其再结晶的方法,论证这种技术加工光电元件或微电子元件的高掺杂P—N结的可行性。但无论采用什么方法,
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一、引言 近些年来,有许多著作介绍用高功率短脉冲激光熔解硅表面并使其再结晶的方法,论证这种技术加工光电元件或微电子元件的高掺杂P—N结的可行性。但无论采用什么方法,这些结的电气特性与常规热处理(掺
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