NiO纳米线的制备及其排列的研究

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氧化镍纳米材料在纳米电子器件和光电器件的应用中有着巨大的优势和潜力。本文基于国内外最新研究进展,系统的综述了近年来氧化镍一维纳米材料制备和有序排列的方法。一维纳米材料不仅在研究材料的结构和粒子的尺寸对其机械性能和物理、化学性质的影响具有重要意义,而且这类材料的研究结果为其他低维材料制备提供了基础,并且是纳米电子器件与微型传感器制备的基本元件。现今电子工业的小型化趋势更使得一维纳米结构成为研究的热门~([1])。Ni O、Cu_2O和Mo O_3等~([2])属氧化物半导体材料,具有良好的电学、磁学以及催化性能,其中Ni O为p-型半导体材料,具有着色效率高、成本低以及稳定性好等优点,因此在电子器件方面有很好的应用价值~([3])。 Nickel oxide nanomaterials have great advantages and potential in the applications of nanoelectronic devices and optoelectronic devices. Based on the latest research progress at home and abroad, this article systematically reviews the preparation and ordered arrangement of one-dimensional nickel oxide nanomaterials in recent years. One-dimensional nanomaterials are not only important in studying the structure of materials and the size of particles, but also the results of such materials provide the basis for the preparation of other low-dimensional materials, Device and micro sensor preparation of the basic components. The trend of miniaturization in the electronics industry now makes the one-dimensional nanostructures a hot topic in research [1]. Ni O, Cu 2 O and Mo O 3, which have good electrical, magnetic and catalytic properties, are among the most important oxide semiconductor materials. Among them, Ni O is a p-type semiconductor material with high coloring efficiency, low cost and stability Good sex, etc., so it has good application value in the electronic device ~ ([3]).
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