不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响

• 作 者: 莘海维 刘张李
• 机 构: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
• 出 处: 电子技术应用
• 发表日期: 2019年2期
• 关键词: SOI 射频开关 小信号 插入损耗 隔离度 SOI RF switch scatter parameter IL isolation

基于0.2μmSOIRF工艺平台,设计了串联支路、并联支路、单刀单掷、单刀双掷等电路结构,分析研究了单级宽度、级联数目、偏置电阻、偏置电压等设计参数对射频开关小信号特性的影响。通过实验数据,讨论各参数对射频开关小信号特性,主要包括射频开关的插入损耗和隔离度的影响,为射频开关设计提供参考。