电弧离子镀法制备高硬度Cr-Si-C-N薄膜

• 作 者: 聂朝胤 Akiro Ando 卢春灿 贾晓芳
• 机 构: 西南大学材料科学与工程学院,IonEngineeringResearchInstituteCorporation
• 出 处: 金属学报
• 发表日期: 2009年11期
• 关键词: 电弧离子镀 Cr-Si-C-N薄膜 纳米晶 显微硬度 cathode arc ion deposition Cr Si C-N film nanocryst

采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片上沉积了Cr-Si-C-N薄膜,三甲基硅烷（TMS）反应气体作为Si和C掺杂源,通过改变TMS流量实现了薄膜中Si和C含量的调节.利用XPS,XRD,HRTEM和显微硬度计研究了Cr-Si-C-N薄膜的化学状态、显微组织和显微硬度.Cr-Si-C-N薄膜中的Si和C含量随TMS流量的增加而单调增加.在TMS流量小于90 mL/min时,薄膜中Si和C含量较少,薄膜由Cr（C,N）纳米晶与Si3N4非晶（nc-Cr（C,N）/a-Si3N4）组成,薄膜硬度