高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

• 作 者: 王闯 钱蓉 孙晓玮 顾建忠
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年4期
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 低噪声 高增益放大器 微波单片集成电路 PHEMT low noise high gain amplifier MMIC

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器．该放大器是采用国际先进的0．25μmP HEMT工艺技术加工而成．电路设计采用了两级级联负反馈结构，并采用电阻自偏压技术，单电源供电，使用方便，可靠性高，一致性好．MMIC芯片测试指标如下：在1．9～4．2GHz频率范围内，输入输出驻波小于2．0，线性功率增益达30dB，带内增益平坦度为±0．7dB，噪声系数小于2．7dB．芯片尺寸：1mm×2mm×0．1mm．这是国内报道的增益最高，芯片面积最小的s波段放