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利用一台高能脉冲激光器和一个光纤耦合的CCD光谱仪构建了激光诱导击穿光谱仪（LIBS），并用它测量了重掺硅片中的氧含量．硅中的氧含量通过LIBS谱中的O1（777nm）谱线和SiI（288nm）谱线的强度比值O1／Si1获得．为了确定氧含量的绝对值，选定了4个轻掺杂的硅样品，分别利用业界通用的傅利叶变换红外吸收光谱（FTIR）和LIBS对其中的氧含量进行了测量，由此得出了利用LIBS确定硅中氧含量的定标曲线，并根据该定标曲线成功地测出了几个重掺硅片中的氧含量．