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经多方面检测分析，证明硅片中原始氧含量的径向不均匀度是影响硅片高温过程中的几何稳定性和单片电路成品率的重要因素。
硅片氧含量径向不均匀性问题
【摘 要】
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经多方面检测分析，证明硅片中原始氧含量的径向不均匀度是影响硅片高温过程中的几何稳定性和单片电路成品率的重要因素。
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年1期
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