高质量的干净极限与脏极限MgB2超导薄膜

• 作 者: 庄承钢 孟胜 张从尧 杨欢 贾颖 闻海虎 郗小星 冯庆荣 甘
• 机 构: 北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,中科院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室超导国家重点实验室,美国宾州州立大学物理系与材料科学与工程系
• 出 处: 稀有金属材料与工程
• 发表日期: 2008年A04期
• 关键词: MgB2薄膜 干净极限 碳掺杂 MgB2 film clean limit carbon doping
• 基金项目: 国家自然科学基金（50572001）,科技部973计划（2006CD601004）资助 致谢：感谢中科院物理所陈小龙教授免费提供高质量6H-SiC单晶衬底.感谢中科院物理所王淑芳博士在仪器建设中有益的讨论.感谢北大物理学院王永忠,张炎,中科院物理所方磊在物性测量中的帮助.

利用混合物理化学气相沉积法（hybrid physical-chemical vapor deposition）,在0001取向的SiC和Al2O3上原位制备了高质量的c轴外延MgB2薄膜,样品具有高于41K的零转变温度,超导剩余电阻率ρ（42K）〈0.5μΩcm,很好地吻合第一原理计算的干净极限行为。X射线相分析图谱上没有MgO的衍射峰出现说明这种方法极大程度上避免了MgB2制备过程最易出现的“氧污染”。较高的磁电阻和低温低场条件下不存在磁通跳跃都说明了样品非常干净。借助一种改进的双加热丝装置,我们在干