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利用射频磁控反应溅射法，以Ar,CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜，用于涉法测量了薄膜的厚度，对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究。结果表明，GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降，甚至略的提高，而且Ge原子百分比可以任意变化，表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征，这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备磁化物有普遍意义。