Passivity Degradation of Alloy 800 in Simulated Crevice Chemistries

• 作 者: Xia Dahai Luo Jingli
• 机 构: SchoolofMaterialsScienceandEngineering,DepartmentofChemicalandMaterialsEngineering,TianjinKeyLaborat
• 出 处: 天津大学学报：英文版
• 发表日期: 2015年3期
• 关键词: 800合金 化学降解 缝隙 模拟 氯化物溶液 硫代硫酸盐 硫酸盐溶液 电化学阻抗谱 Alloy 800 thiosulfate passive film loc
• 基金项目: Supported by the Atomic Energy of Canada Limited （AECL） and National Natural Science Foundation of China （No. 51371124）.

在模仿的缝隙化学的合金 800 的被动降级系统地用周期的极化曲线，电气化学的阻抗光谱学(EIS ) ， Mott-Schottky 分析，钻电子光谱学(AES ) 和原子吸收 spectrometry (AAS ) 被调查。周期的极化证明在一个 thiosulfate 答案的 pitting 潜力比在一个氯化物答案或一个硫酸盐氯化物答案低得多。Mott-Schottky 结果表明被动电影显示出 n 类型 semiconductivity，并且在氯化物答案的 thiosulfate 的存在在被动电影导致了增