金属氧化物半导体气敏传感器的研究和开发进展

• 作 者: 蔡晔 葛忠华 陈银飞
• 机 构: 浙江工业大学化工学院!浙江杭州,310014,浙江工业大学化工学院!浙江杭州,310014,浙江工业大学化工学院!浙江杭州,310014
• 出 处: 化工生产与技术
• 发表日期: 1997年02期
• 关键词: 气敏传感器 开发进展 气敏材料 研究和开发 氧传感器 金属氧化物 气体传感器 纳米材料 晶粒尺寸 灵敏度提高

综述了近期国内外金属氧化物半导体气教传感器的研究和开发进展；阐述了半导体气敏材料的气敏作用及机理；展望了今后半导体气敏传感器技术的发展趋向。

In this paper, the recent research and development of MOS sensors are reviewed. The gas sensitization and mechanism of semiconductor gas sensors are expounded. The future development trend of semiconductor gas sensors is also discussed.