【摘 要】
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为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8～18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8～18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
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为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8～18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8～18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管芯采用台式结构,二氧化硅钝化保护,Ti-Mo-Ti-Au多层金属作为欧姆接触,以降低正向微分电阻并保证可靠性。开关的同轴接头为SMA。
To meet the requirements of users, Nanjing Institute of Electronic Devices has developed a successful 8 ~ 18GHz PIN SPDT switch. The circuit adopts all-parallel PIN tube structure and MIC method to obtain smaller insertion loss, high isolation, high switching speed, high power capacity and easy mass-production microwave switch components in the 8-18 GHz band. PIN die used in the desktop structure, silicon dioxide passivation protection, Ti-Mo-Ti-Au multi-layer metal as ohmic contact to reduce forward differential resistance and ensure reliability. The coaxial connector of the switch is SMA.
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