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在计算机中应用的半导体动态存储器（DRAM）和静态存储器（SRAM）具有快速存取信息的优势,但它们共同的缺点是,在断电时存储的信息会消失。现在人们正在研究开发用铁电薄膜电容器代替半导体存储器中的SiO<sub>2</sub>电容器来存储信息,其目的就是使存储器具有同半导体存储器一样快或者更快的存取速度,并且在断电的情况下也能保留存储的