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据东京Anritsu公司报导，已开发一种光电探测器，其响应率达1．A／W。改进的光电信号转换效率超过普通器件达60％。关键是对光电探测器所用的InGaAsP高反射率涂层和InP低反射率涂层进行了改进，在它们中间加一．InGaAs吸收层。与普通光电探测器材料结构不同，Anritsu系统允许光透过InP层进入吸收层，在其中全反射和反复吸收。