【摘 要】
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采用AIN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的α,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AIN插入层厚度的变化关系,当AIN厚度在7~13nm范围内,GaN
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :6982 5 10 7) ,,NSFC-RGC联合基金 (批准号 :5 0 0 116195 3 ,N-HKU 0 2 8/0 0 )资助项目~~
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采用AIN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的α,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AIN插入层厚度的变化关系,当AIN厚度在7~13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力。因此,GaN微裂得以消除,同时研究了AIN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AIN插入层的GaN样品有明显提高。
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