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用ＸＰＳ对在掺硼和掺磷硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了６０Ｃｏ辐照前后的界面成分分析．结果表明，同一氧化工艺在两种硅衬底上生成的Ｓｉ－ＳｉＯ２，在γ辐照前后其硅的二氧化硅芯态能级谱、Ｓｉ过渡态芯态能级谱及剩余氧态谱均有较大差异；其中，杂质硼比磷对体系在辐照前后的ＸＰＳ谱的影响更大。四种Ｓｉ－ＳｉＯ２的ＸＰＳ分析显示出衬底杂质与氧化工艺在ＳｉＯ２形成过程中具有等同的质量控制作用．根据硼、磷的原子基态时的电子组态及扩散性质的差异对实验结果进行了机制分析．