【摘 要】
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以ＣＨ４和Ｈ２为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）技术，在Ｓｉ（１００）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等
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以ＣＨ４和Ｈ２为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）技术，在Ｓｉ（１００）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝ＣＶＤ实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件．
The grown diamond films were successfully grown on Si (100) crystal substrates by using electron assisted hot filament chemical vapor deposition (CVD) with CH4 and H2 as the source gases. The morphology, composition, crystal and other properties of the films were analyzed by scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and X-ray diffraction. The optimum conditions for the growth of diamond films by hot wire CVD were obtained. .
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