【摘 要】
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在最近十多年中,MOS存储器大体上以一定的速度持续地向着大容量化的方向发展。对于动态存储器来说,在产品水平上从1970年的1K位迅速发展到1982年的256K位。由此可见,集成度
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在最近十多年中,MOS存储器大体上以一定的速度持续地向着大容量化的方向发展。对于动态存储器来说,在产品水平上从1970年的1K位迅速发展到1982年的256K位。由此可见,集成度以每3年4倍的速度向前发展。静态存储器(SRAM)大容量化的发展速度与动态存储器(DRAM)相当或处于动态存储器之上,特别是CMOS静态存储器的集成度发展速
In the recent ten years, MOS memory has been progressing toward a larger capacity at a certain speed. For dynamic memory, at the product level from 1K in 1970 to rapid development in 1982 to 256K bits. This shows that the level of integration at a rate of 4 times every 3 years to move forward. The development speed of mass storage of static memory (SRAM) is comparable to that of dynamic memory (DRAM), and the development speed of the integration of CMOS static memory
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