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用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．