新型氮化铝埋层上硅结构的应力特性

• 作 者: 门传玲 徐政 安正华 林成鲁
• 机 构: 同济大学,同济大学,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
• 出 处: 同济大学学报(自然科学版)
• 发表日期: 2003年3期
• 关键词: 氮化铝薄膜 应力 高分辨X射线衍射 AIN films strain highresolution Xray diffraction

为减轻传统SOI(silicon-on-insulator)材料的自加热效应,首次利用智能剥离技术(smart-cut process)成功制备了SOAN(silicon-on-aluminum-nitride)结构,即以氮化铝(AlN)薄膜为埋层的SOI结构.采用离子束增强技术(IBED)在10.16 cm(4 in)硅片上合成了AIN薄膜.剖面透射电镜照片证实了此SOAN结构.高分辨的X射线衍射技术被用来研究此结构的剩余晶格应力,实验结果表明刚得到的SOAN结构在1 100 ℃下退火1 h后顶层硅中的