体硅LDMOS漂移区杂质分段线性注入模型研究

• 作 者: 孙伟锋 易扬波 陆生礼 时龙兴
• 机 构: 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年6期
• 关键词: 击穿电压 导通电阻 分段线性 breakdown voltage specific on-resistance piecewise linearly grade
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划（批准号：2004AA1Z1060）,江苏省高等学校研究生创新计划（批准号：XM04-30）及东南大学优秀博士学位论文基金（批准号：YBJJ0413）资助项目Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China（No. 2004AA1Z1060）

提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%.