【摘 要】
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设计了一种高效的1 060 nm大功率半导体激光器,该激光器包含有源层、波导层和光限制层。其中有源层采用In Ga As/Ga As量子阱(QW)结构,将该层控制在临界厚度范围内,提高腔内
【机 构】
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广东东软学院计算机科学与技术系; 南昌工程学院江西省协同感知与先进计算技术研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61663029);广东省高校特色创新项目(2017KTSCX200);佛山市科技创新项目(2016AG100792)
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设计了一种高效的1 060 nm大功率半导体激光器,该激光器包含有源层、波导层和光限制层。其中有源层采用In Ga As/Ga As量子阱(QW)结构,将该层控制在临界厚度范围内,提高腔内量子效率;波导层采用非故意掺杂Ga As材料非对称大光学腔结构,减小空腔损耗;光限制层采用掺杂的Al0.25Ga0.75As材料形成线性的过渡,以减小串联电阻。应用MOCVD对器件结构进行优化,外延,制作和封装测试,获得功率效率为47.4%的1 060 nm半导体激光器。实验结果表明,腔内量子效率达到98.57%,腔损仅为0.273 cm-1。在室温下,QCW脉冲条件下制备的器件具有4 mm腔长和100μm条宽的器件,效率达到47.4%,峰值波长为1 059.4 nm。
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