GaN在Si（001）上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究

• 作 者: 徐茵 顾彪 等
• 机 构: 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室,大连理工大学电气工程与应用电子技术系
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2002年12期
• 关键词: GAN SI(001) ECR 等离子体 MOCVD 直接生长 电子回旋共振 金属有机物化学气相沉积 晶相结构 PEMOCVD GaN/Si(001) inte
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划 (No.715 -0 11-0 0 3 3 ),,国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 8,695 75 0 0 3和 195 75 0 0 6)资助项目~~

研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积（PEMOCVD）技术在Si(001）衬底上，低温（620－720℃）下GaN薄膜的直接外延生长及晶相结构。高分辨透射电镜（HRTEM）和X射线衍射（XRD）结果表明：在Si(001）衬底上外延出了高度c轴取向纤锌矿结构的GaN膜，但在GaN/Si(001）界面处自然形成了一层非晶层，其两个表面平坦而陡峭，厚度均匀（≈2nm）。分析认为，在初始成核阶段N与Si之间反应所产生的这层SixNy非晶层使GaN的β相没有形成。SRD和原子力显微镜（A