【摘 要】
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以炭黑和单质硅为原料压制成试样，在埋炭条件下，分别于1200，1300，1350，1400，1450，1500℃下高温烧结，获得不同温度点合成样品。采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程，从而对C—Si系原
【机 构】
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武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷国家重点实验室培育基地,武汉钢铁股份有限公司硅钢厂
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以炭黑和单质硅为原料压制成试样，在埋炭条件下，分别于1200，1300，1350，1400，1450，1500℃下高温烧结，获得不同温度点合成样品。采用XRD分析技术研究试样的物相演变过程，从而对C—Si系原料在埋炭气氛反应过程中的物相变化和反应动力学机制进行研究。试验结果表明：试样中新生成的物相为SiC、石英相和方石英相，几乎没有Si3N4和Si2N2O相。其反应过程是：单质硅与O2生成SiO2、与C反应生成SiC、与CO反应生成SiC和SiO2；温度高于1450℃时，SiO2又会与试样中剩余的C反应生
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