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对SOI LDMOS进行了建模，得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式．以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟，得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线，这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义．
SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响
【摘 要】
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对SOI LDMOS进行了建模，得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式．以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟，得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年3期
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