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本文用光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．０５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质，发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，阳后又减弱。
有序Ga0.5In0.5P光致发光的研究
【摘 要】
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本文用光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．０５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质，发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，阳后又减弱。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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