TiO2／SiO2和TiO2／SiOxNy层叠结构高k栅介质比较研究

• 作 者: 徐文彬 王德苗
• 机 构: 集美大学信息工程学院,浙江大学信电系
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2010年2期
• 关键词: 栅介质 二氧化钛 层叠介质 射频磁控溅射 高介电常数 gate dielectrics TiO2 dielectric stacks RF magnet

以射频磁控溅射为主要工艺，制备了TiO2／SiO2和TiO2／SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明，SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流，而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体现出来。对漏电特性的进一步分析显示，TiO2／SiO2结构中的缺陷体分布和TiO2／SiOxNy，结构中的缺陷界面分布是导致电学性能差异的主要原因。综合比较来看，TiO2／SiOxNy结构栅介质在提高MOS栅介质性能方面有更大的优势及更好的前景，有助于拓