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GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现在以及未来社会能源领域中的应用引起了广泛的关注，但是在Si（100）基板上直接生长缺陷少的GaN结晶非常困难。
以石墨烯实现GaN在Si（100）基板上的生长
【摘 要】
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GaN、InN、AiN等氮化物半导体应用于LED中具有独特的性能。以硅为衬底形成的氮化物半导体因其效率高、耐压性强、环保等特点。在现在以及未来社会能源领域中的应用引起了广泛
【出 处】
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无机盐工业
【发表日期】
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2014年9期
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