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“一些电学参数的许容范围无法和它们的正常值那样共同缩减的问题已经凸现出来了，毫无疑问，这将严重地制约新工艺提升芯片的性能以及降低电源的消耗。”IBM研究中心和该公司的Sani Nassif和他的同事们说。事实上，互补型金属氧化物半导体（CMOS）电学特性的变异已经成为了一个必须被认真对待的主要设计问题。