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系统研究了Ｈ２流量和Ｈ＾＋原位处理ＣｘＨ１－ｘ薄膜的时间对ＣｘＨ１－ｘ薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响，表明ＣｘＨ１－ｘ薄膜的长时间Ｈ＾＋原位处理是减小ＣｘＨ１－ｘ薄膜表面悬挂键密度的有效途径。
H2及H^＋对CxH1—x薄膜表面状态的影响
【摘 要】
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系统研究了Ｈ２流量和Ｈ＾＋原位处理ＣｘＨ１－ｘ薄膜的时间对ＣｘＨ１－ｘ薄膜的稳定时间、表面悬挂键密度和表面电子局域化程度的影响，表明ＣｘＨ１－ｘ薄膜的长时间Ｈ＾＋原位处理是减小ＣｘＨ１－ｘ薄膜表面悬挂键密度的有效途径。
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川大学分析测试中心
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2000年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助课题!( 199895 0 1),中国工程物理研究院院基金资助课题,高温高密度等离子体国家重点实验室基金重点项目资助
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