低阈值852nm半导体激光器的温度特性

• 作 者: 廖翌如 关宝璐 李建军 刘储 米国鑫 徐晨
• 机 构: 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2017年3期
• 关键词: 852 nm半导体激光器 温度特性 阈值电流 特征温度

通过金属有机化学气相淀积（MOCVD）和半导体后工艺技术制备了852nm半导体激光器，它在室温下的阈值电流为57．5mA，输出的光谱线宽小于1nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明，当温度变化范围为293～328K时，阈值电流的变化速率为0．447mA／K，特征温度T0为142．25K，输出的光功率变化率为0．63mW／K。通过计算求得理想因子n为2．11，激光器热阻为77．7K／W，中心波长漂移速率是0．24929nm／K，实验得出的中心波长漂移速率与