【摘 要】
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采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,
【机 构】
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重庆师范大学光学工程实验室,重庆大学数理学院,
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采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究。实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm~(-3),电阻率为41.5Ω·cm。
The ZnO films prepared by RF magnetron sputtering were N doped by ion implantation, and the p - type transition of the ZnO films was achieved by annealing. The properties of samples before and after thermal annealing were studied by X-ray diffraction (XRD) and Hall experiments. Experimental results show that the doping method can obtain a stable p-type ZnO thin film. The electrical properties of the p-type ZnO thin film are further improved with the increase of annealing temperature and the extension of time. When the annealing temperature is 950 ℃ for 7min, the carrier concentration is 1.68E + 16cm ~ (-3), the resistivity of 41.5Ω · cm.
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