【摘 要】
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本文叙述H_2-SiCl_4还原法外延采用Br_2作汽相抛光的一些实验条件和应用结果,并介绍了在系统、抛光基座、制备亮片等方面的改进。Br_2纯度高,去杂作用强。使用Br_2能迅速抛光
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本文叙述H_2-SiCl_4还原法外延采用Br_2作汽相抛光的一些实验条件和应用结果,并介绍了在系统、抛光基座、制备亮片等方面的改进。Br_2纯度高,去杂作用强。使用Br_2能迅速抛光基座,稳定生产亮片和提高器件成品率与改善电参数特性。
This paper describes some experimental conditions and application results of H_2-SiCl_4 reduction by epitaxial Br_2 vapor phase polishing, and introduces some improvements in the system, polishing base, preparation of sequins and so on. Br_2 high purity, stripping effect. Using Br_2 to quickly polish the susceptor, stabilize the production of sequins and improve device yield and electrical parameter characteristics.
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