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本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。
HCMOS器件γ辐射损伤电路分析
【摘 要】
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本文对最基本的HCMOS器件(反相器和与非门)作了γ辐射损伤实验。通过器件性能变化,分析了γ辐射对电路的作用。
【机 构】
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北京大学技术物理系
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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1993年4期
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