【摘 要】
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据《Solid State Advanced Pakaging》2004年第3、4期》报道,美国伊利诺伊大学的Milton Feng等人新开发了频率高达509 GHz的超高速双极晶体管,比他们此前所创的世界记录还要
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据《Solid State Advanced Pakaging》2004年第3、4期》报道,美国伊利诺伊大学的Milton Feng等人新开发了频率高达509 GHz的超高速双极晶体管,比他们此前所创的世界记录还要高57 GHz。 Feng表示,双极晶体管速度的持续提升,主要依赖于结构垂直面的缩小,以降低截流
According to “Solid State Advanced Pakaging 2004, No. 3,4, 2004” reported that the United States Milton Feng, University of Illinois, who developed a new high-speed bipolar transistors up to 509 GHz, than they have ever hit the world record even higher 57 GHz. Feng said that the bipolar transistor speed continues to rise, mainly depends on the vertical structure of the narrowing to reduce the closure
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