DD-500等离子淀积台设计中的工艺物理

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等离子(增强)化学汽相淀积(Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition)简称PCVD(或PECVD)技术是生长用于半导体器件的固体薄膜的一种新工艺,即低温(<400℃)工艺。DD-500等离子淀积台是为了用PCVD技术生长氮化硅钝化膜而设计的。但本设备还能低温淀积等离子氧化硅作多层布线的介质膜和掺杂的氢化无定形硅(α-Si)制作太阳 Plasma Enhanced Chemicadl Vapor Deposition PCVD (or PECVD) technology is a new process for growing solid thin films for semiconductor devices, ie, low temperature (<400 ° C) processes. The DD-500 plasma deposition stage is designed to grow silicon nitride passivation films using PCVD technology. However, this device is also capable of producing a sun by depositing a dielectric film of low-temperature plasma-deposited silicon on a multi-layer wiring and doped hydrogenated amorphous silicon (α-Si)
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