【摘 要】
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利用超高压电子显微镜(HVEM,JEM-1000)研究了舟生长半绝缘(SI)掺 Cr-GsAs 晶体中的微沉淀(微夹杂)。从电子衍射花样分析表明,晶体中存在不同程度的微沉淀,它们是 CrAs、Cr_2A
【机 构】
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北京有色金属研究总院,中国科学院上海冶金研究所
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利用超高压电子显微镜(HVEM,JEM-1000)研究了舟生长半绝缘(SI)掺 Cr-GsAs 晶体中的微沉淀(微夹杂)。从电子衍射花样分析表明,晶体中存在不同程度的微沉淀,它们是 CrAs、Cr_2As 及四方晶系的α-方石英。CrAs 和 Cr_2As 与晶体中的 Cr 浓度有关,α-方石英主要是与舟材料有关。
Micro-precipitation (micro-inclusions) in boat-grown semi-insulating (SI) doped Cr-GsAs crystals was investigated by using a super-high pressure electron microscope (HVEM, JEM-1000) From electron diffraction pattern analysis shows that there are different degrees of micro-precipitation of crystals, which are CrAs, Cr 2 As and tetragonal α-cristobalite. CrAs and Cr 2 As are related to the concentration of Cr in the crystal. Alpha-cristobalite is mainly related to the boat material.
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