Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子(英文)

• 作 者: 谈文舒 丁泽军 张增明
• 机 构: 合肥微尺度物质科学国家实验室中国科学技术大学物理系,合肥微尺度物质科学国家实验室中国科学技术大学物理系,合肥微尺度物质科学国家实验室中国科学技术大学物理系 安徽合肥230026,安徽合肥230026,
• 出 处: 电子显微学报
• 发表日期: 2005年06期
• 关键词: 俄歇电子 背散射 Monte Carlo 谱分析 背散射因子 蒙特卡洛 定量 因子 能谱 elsewhere

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析(如对Ni的L3VV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子)中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展,因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。

In this paper, the backscattering factor in quantitative Auger electron spectroscopy (such as the L3VV Auger electron of Ni and the M5N67N67 Auger electron of Pt) has been simulated and calculated by Monte Carlo method. This new calculation provides more accurate parameters for quantitative Auger electron spectroscopy as the calculations incorporate a variety of recent advances in related fields.