闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhouchaowenit

【摘要】

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利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子

【作者】

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毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,中国科技大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

半金属室温铁磁性分子束外延

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:10334030,10425419,60521001),国家重点基础研究专项基金(批准号:2001CB3095)资助项目

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利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

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